T.Noda,M.Tanaka and H.Sakaki: "Characterization of lateral correlation length of interface roughness in MBE grown GaAs/AlAs quantun wells by mobility measure ment" Journal of Crystal Growth. 111. 348-352 (1991)
T.Noda,M.Tanaka and H.Sakaki: "Characterization of lateral correlation length of interface roughness in MBE grown GaAs/AlAs quantun wells by mobility measure ment" Journal of Crystal Growth. 111. 348-352 (1991)
复制标题
T.Noda、M.Tanaka 和 H.Sakaki：“通过迁移率测量表征 MBE 生长的 GaAs/AlAs 量子阱中界面粗糙度的横向相关长度”《晶体生长杂志》。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
