H.Umezawa et al.: "High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1.m Gate Length"Japan Journal of of Applied Physics. Vol.38. L1222-L1224 (1999)
H.Umezawa et al.: "High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1.m Gate Length"Japan Journal of of Applied Physics. Vol.38. L1222-L1224 (1999)
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H.Umezawa 等人：“具有 1.m 栅极长度的高性能金刚石金属半导体场效应晶体管”日本应用物理学杂志。
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