Cluster Incorporation into A-Si:H Films Deposited Using H 2 +SiH 4 Discharge Plasmas

Cluster Incorporation into A-Si:H Films Deposited Using H 2 +SiH 4 Discharge Plasmas
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使用 H 2 SiH 4 放电等离子体沉积的 A-Si:H 薄膜中的簇合并

DOI:
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发表时间:
2015
期刊:
Proc. 68th GEC/9th ICRP/33rd SPP
影响因子:
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通讯作者:
M. Shiratani
M. Shiratani
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
S. Toko;Y. Torigoe;K. Keya;H. Seo;N. Itagaki;K. Koga;M. Shiratani

文献摘要

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