偏 4°4H-SiC 同质外延层上新形貌三角形缺陷研究
偏 4°4H-SiC 同质外延层上新形貌三角形缺陷研究
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DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
陈治明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明
