n- and p-type doping of 4H-SiC by wet-chemical laser processing
n- and p-type doping of 4H-SiC by wet-chemical laser processing
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通过湿化学激光加工对 4H-SiC 进行 n 型和 p 型掺杂
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.645
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Asano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nishi;A. Ikeda;D. Marui;H. Ikenoue;T. Asano
