X線照射によるSiO2表面帯電の自己補償機構の解明に向けた表面電位測定：表面放出電子数を一定に制御した場合
X線照射によるSiO2表面帯電の自己補償機構の解明に向けた表面電位測定：表面放出電子数を一定に制御した場合
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表面电位测量阐明 X 射线照射引起的 SiO2 表面充电的自补偿机制：当表面发射电子数控制恒定时
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
廣瀬和之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
張江貴大;小林大輔;山本知之;廣瀬和之
