窒素デルタドーピングを用いたGaNAs量子井戸の窒素濃度制御
窒素デルタドーピングを用いたGaNAs量子井戸の窒素濃度制御
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使用氮δ掺杂控制 GaN 量子阱中的氮浓度
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
迫田和彰
中科院分区：
文献类型：
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作者：
間野高明;定昌史;黒田隆;M.Elborg;野田武司;杉本喜正;迫田和彰
