シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究
シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究
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碳化硅极端环境集成电路及像素器件研究
DOI:
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发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
田中 保宣
中科院分区:
文献类型:
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作者:
黒木 伸一郎; 志摩 拓真; 目黒 達也; Vuong Van Cuong; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 大島 武; 児島 一聡; 田中 保宣