H.J.Lee: "First successful growth of TlInGaAs layers on GaAs substrates by gas source molecular beam epitaxy"J. Cryst. Growth. 237-239. 1491-1494 (2002)
H.J.Lee: "First successful growth of TlInGaAs layers on GaAs substrates by gas source molecular beam epitaxy"J. Cryst. Growth. 237-239. 1491-1494 (2002)
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H.J.Lee：“首次通过气源分子束外延在 GaAs 衬底上成功生长 TlInGaAs 层”J。
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