Current induced domain wall motion in Mn4-xNixN benefited from the compensation at room temperature
Current induced domain wall motion in Mn4-xNixN benefited from the compensation at room temperature
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Mn4-xNixN 中电流引起的畴壁运动受益于室温补偿
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Pizzini
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Komori;S. Ghosh;A. Hallal;J. P. Garcia;T. Gushi;T. Hirose;H. Mitarai;H. Okuno;J. Vogel;M. Chshiev;J.-P. Attane;L. Vila;T. Suemasu;and S. Pizzini
