Growth of GaN Films by Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition Using Ruthenium Coated Tungsten Mesh
Growth of GaN Films by Hot-Mesh Chemical Vapor Deposition Using Ruthenium Coated Tungsten Mesh
复制标题
使用镀钌钨网通过热网化学气相沉积生长 GaN 薄膜
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Akahane
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Fukada;K. Yasui;Y. Kuroki;M. Suemitsu;T. Ito;T. Endoh;H. Nakazawa;Y. Narita;M. Takata;T. Akahane
