反応性プラズマプロセスを用いた高性能IGZO薄膜トランジスタの低温形成
反応性プラズマプロセスを用いた高性能IGZO薄膜トランジスタの低温形成
复制标题
采用反应等离子体工艺低温形成高性能IGZO薄膜晶体管
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
節原 裕一
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
竹中 弘祐;林 祐仁;都甲 将;江部 明憲;節原 裕一
