S.Kodama and H.Hasegawa: ""Control of Silicon Nitride-In_<0.53>Ga_<0.47>As Interface by Ultrathin Silicon Interface Control Layr"" Proc.of 1st Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa, Japan, November 8-12, 1993). (to be published).
S.Kodama and H.Hasegawa: ""Control of Silicon Nitride-In_<0.53>Ga_<0.47>As Interface by Ultrathin Silicon Interface Control Layr"" Proc.of 1st Int.Symp.Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa, Japan, November 8-12, 1993). (to be published).
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S.Kodama 和 H.Hasekawa：“通过超薄硅界面控制层控制氮化硅-In_<0.53>Ga_<0.47>As 界面”Proc.of 1st Int.Symp.Control of Semiconductor Interface（轻井泽，日本，
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