Germanium nanowire epitaxy: Shape and orientation control
Germanium nanowire epitaxy: Shape and orientation control
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DOI：
10.1021/nl052231f
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发表时间：
2006-02-01
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
McIntyre, PC
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Adhikari, H;Marshall, AF;McIntyre, PC
采用金纳米颗粒催化的化学气相沉积方法，在350℃或更低的温度下，在Si（001）衬底上的Ge（111）、Ge（110）、Ge（001）和异质外延的Ge上，获得了沿< 111 >方向的纳米线外延生长。在Ge（111）上，增长主要是垂直的。在Ge（001）和Ge（110）基质上，除了< 111 >的生长外，还观察到< 110 >的生长。通过使用双温生长程序可以避免逐渐变细，这是Greytak等人早些时候报道的。
Epitaxial growth of nanowires along the < 111 > directions was obtained on Ge(111), Ge(110), Ge(001), and heteroepitaxial Ge on Si(001) substrates at temperatures of 350 degrees C or less by gold-nanoparticle-catalyzed chemical vapor deposition. On Ge(111), the growth was mostly vertical. In addition to < 111 > growth, < 110 > growth was observed on Ge(001) and Ge(110) substrates. Tapering was avoided by the use of the two-temperature growth procedure, reported earlier by Greytak et al.