Analysis of neutron-induced single-event burnout in SiC power MOSFETs
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DOI：
10.1016/j.microrel.2015.06.081
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发表时间：
2015-08
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Shoji;S. Nishida;K. Hamada;H. Tadano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Shoji;S. Nishida;K. Hamada;H. Tadano
