Highly effective strain-induced band-engineering of (111) oriented, direct-gap GeSn crystallized on amorphous SiO 2 layers
Highly effective strain-induced band-engineering of (111) oriented, direct-gap GeSn crystallized on amorphous SiO 2 layers
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在非晶 SiO 2 层上结晶的 (111) 取向、直接带隙 GeSn 的高效应变诱导能带工程
DOI：
10.1063/1.4943192
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发表时间：
2016
影响因子：
4
通讯作者：
Liu, Jifeng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wang, Xiaoxin;Liu, Jifeng
