Ni/HfO2/Pt抵抗変化メモリにおける強磁性導通フィラメントの形成
Ni/HfO2/Pt抵抗変化メモリにおける強磁性導通フィラメントの形成
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Ni/HfO2/Pt 电阻存储器中铁磁导电丝的形成
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大塚慎太郎，浜田佳典，伊藤大介，清水智弘，新宮原正三
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Haruka Shoda;Mayumi Adachi;大塚慎太郎，浜田佳典，伊藤大介，清水智弘，新宮原正三
