Enhancement of Ga doping in Czochralski-grown Si crystal and improvement of minority carrier lifetime by B-or Ge-codoping for PV application
Enhancement of Ga doping in Czochralski-grown Si crystal and improvement of minority carrier lifetime by B-or Ge-codoping for PV application
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光伏应用中直拉生长硅晶体中 Ga 掺杂的增强以及 B 或 Ge 共掺杂可提高少数载流子寿命
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Fujiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Uda;M. Arivanandhan;R. Gotoh;K. Fujiwara
