Growth of GaN on nitriding TiN buffer layers
Growth of GaN on nitriding TiN buffer layers
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在氮化 TiN 缓冲层上生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Murakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Watanabe;K.Ito;S.Tsukimoto;Y.Ushida;M.Moriyama;N.Shibata;M.Murakami
