Compositional plane of a wide-gap semiconductor CaCdSeS lattice-matched to InP and GaAs
Compositional plane of a wide-gap semiconductor CaCdSeS lattice-matched to InP and GaAs
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与 InP 和 GaAs 晶格匹配的宽带隙半导体 CaCdSeS 的组成面
DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
S. Abe and K. Masumoto
中科院分区:
文献类型:
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作者:
K.Yamanaka;R.Sasaki;T.Ogata;Y.Ohara;T.Mihara;S.Shibuya;小出康夫;S. Abe and K. Masumoto
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影响因子:
1.5
作者:
N. Yamashita
通讯作者:
N. Yamashita
DOI:
10.1103/physrevb.46.4976
发表时间:
1992
期刊:
Physical review. B, Condensed matter
影响因子:
--
作者:
Pandey;Lepak;Jaffé
通讯作者:
Jaffé
影响因子:
3.3
作者:
Toshio Kobayashi;K. Susa;S. Taniguchi
通讯作者:
S. Taniguchi
影响因子:
1.9
作者:
I. Miotkowski;H. Alawadhi;M. Seong;S. Tsoi;A. Ramdas;S. Miotkowska
通讯作者:
S. Miotkowska
影响因子:
1.8
作者:
I. Viney;B. Ray;J. Brightwell;B. Arterton
通讯作者:
B. Arterton