Compositional plane of a wide-gap semiconductor CaCdSeS lattice-matched to InP and GaAs

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与 InP 和 GaAs 晶格匹配的宽带隙半导体 CaCdSeS 的组成面

DOI:
--
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发表时间:
2006
期刊:
Journal of Crystal Growth 290
影响因子:
--
通讯作者:
S. Abe and K. Masumoto
S. Abe and K. Masumoto
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
K.Yamanaka;R.Sasaki;T.Ogata;Y.Ohara;T.Mihara;S.Shibuya;小出康夫;S. Abe and K. Masumoto

文献摘要

参考文献

被引文献

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