High performance sub-20-nm-channel-length extremely-thin body InAs-on-insulator Tri-gate MOSFETs with high short channel effect immunity and V_<th> tunability
High performance sub-20-nm-channel-length extremely-thin body InAs-on-insulator Tri-gate MOSFETs with high short channel effect immunity and V_<th> tunability
复制标题
高性能亚 20 nm 沟道长度极薄体 InAs 绝缘体三栅极 MOSFET，具有高短沟道效应抗扰度和 V_<th> 可调谐性
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. H. Kim;M. Yokoyama;R. Nakane;O. Ichikawa;T. Osada;M. Hata;M. Takenaka and S. Takagi
