Origins of low resistivity in Al ion-implanted ZnO bulk single crystals
Origins of low resistivity in Al ion-implanted ZnO bulk single crystals
复制标题
Al离子注入ZnO块状单晶低电阻率的根源
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Kinomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Oga;Y.Izawa;K.Kuriyama;K.Kushida;A.Kinomura
