Increase of tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO, and Fe
Increase of tunneling magnetoresistance in trilayer structures composed of group-IV ferromagnetic semiconductor Ge1-xFex, MgO, and Fe
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由 IV 族铁磁半导体 Ge1-xFex、MgO 和 Fe 组成的三层结构中隧道磁阻的增加
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shinobu Ohya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kosuke Takiguchi;Yuki K. Wakabayashi;Kohei Okamoto;Yoshisuke Ban;Masaaki Tanaka;and Shinobu Ohya
