選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良
選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良
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使用选择性生长方法制造 GaN FinFET：改善漏电流抑制
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
筒井 一生
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高山 研;太田 貴士;佐々木 満孝;向井 勇人;濱田 拓也;高橋 言雄;井出 利英;清水 三聡;星井 拓也;角嶋 邦之;若林 整;筒井 一生
