Lateral Source Relaxed/Strained Layer Heterostructures for Ballistic CMOS : Physical Relaxation Mechanism for Strained Layers by O+ Ion Implantation
Lateral Source Relaxed/Strained Layer Heterostructures for Ballistic CMOS : Physical Relaxation Mechanism for Strained Layers by O+ Ion Implantation
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弹道 CMOS 的横向源弛豫/应变层异质结构：O 离子注入应变层的物理弛豫机制
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Tanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Mizuno;J.Takehi;S.Tanabe
