The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth
The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth
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通过控制溶液生长过程中宏观台阶的形成实现高质量4H-SiC C面生长晶体
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Y. Xiao;S. Harada;P. L. Chen;K. Murayama;T.Ujihara
