Threshold voltage, and 2D potential modeling within short-channel junctionless DG MOSFETs in subthreshold region
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DOI：
10.1016/j.sse.2013.02.044
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发表时间：
2013-12
影响因子：
1.7
通讯作者：
T. Holtij;M. Schwarz;A. Kloes;B. Iñíguez
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Holtij;M. Schwarz;A. Kloes;B. Iñíguez
