MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-
MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-
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通过MOS接口处的单个缺陷电荷泵引脚可以直接观察两性能级的电子捕获过程(6) -缺陷结构弛豫(II)-
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小野行徳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
土屋敏章;堀匡寛;小野行徳
