Growth Temperature Dependence of Indium Nitride Crystalline Quality Grown by RF-MBE
Growth Temperature Dependence of Indium Nitride Crystalline Quality Grown by RF-MBE
复制标题
RF-MBE 生长的氮化铟晶体质量的生长温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Nanishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Saito;H.Harima;E.Kurimoto;T.Yamaguchi;N.Teraguchi;A.Suzuki;T.Araki;Y.Nanishi
