Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP
Tensor Evaluation of Anisotropic Stress Relaxation in Mesa-shaped SiGe Layer on Si Substrate by EBSP
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用 EBSP 评估硅衬底台面形 SiGe 层各向异性应力松弛的张量
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Tomita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Naoe Nishihara;Shin-ichi Tanabe;Kanae Sako;Kazuki Wada;Takashi Miyazaki and Mikio Takahashi;大岡優;Naoe Nishihara;H. Hashiguchi;Shouhei Ouchi;大岡優;Siti Norhidayah Binti Che Mohd Yusoff;Akira Itabashi;Yu Ooka;D. Kosemura;Mitsuru Ohtake;大岡優;M. Tomita
