High Electrical Activation of Implanted Phosphorus in the Fully Amorphized Implant-Layer by Solid-Phase Epitaxy on (1120)-Oriented 6H-SiC
High Electrical Activation of Implanted Phosphorus in the Fully Amorphized Implant-Layer by Solid-Phase Epitaxy on (1120)-Oriented 6H-SiC
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(1120) 取向 6H-SiC 固相外延全非晶化注入层中注入磷的高电激活
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Satoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Nakamura;H.Tanabe;M.Satoh
