Remarkable Breakdown Voltage Enhancement in A1GaN Channel HEMTs operation of A1GaN channel high electron mobility transistors with sufficiently low resistive source/drain contact formed by Si ion implantation
Remarkable Breakdown Voltage Enhancement in A1GaN Channel HEMTs operation of A1GaN channel high electron mobility transistors with sufficiently low resistive source/drain contact formed by Si ion implantation
复制标题
通过 Si 离子注入形成具有足够低电阻的源极/漏极接触的 A1GaN 沟道高电子迁移率晶体管的 A1GaN 沟道 HEMT 操作中击穿电压显着增强
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Nanjo,
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Asano;B.-S.Song;S.Noda;中西祥人;A.Yamasaki et al.;〓;H.Sumiya;T. Nanjo,
