絶縁基板上におけるa-GeSnの極低温・高速固相成長(<250oC)
絶縁基板上におけるa-GeSnの極低温・高速固相成長(<250oC)
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a-GeSn 在绝缘基板上的低温高速固相生长 (<250oC)
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松村亮
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ieda N;Uenoyama Y;Tajima Y;Nakata T;Kano M;Naniwa Y;Watanabe Y;Minabe S;Tomikawa J;Inoue N;Matsuda F;Ohkura S;Maeda KI;Tsukamura H.;松村亮
