Tuning the electronic behavior of Au nanoparticles with capping molecules
Tuning the electronic behavior of Au nanoparticles with capping molecules
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DOI：
10.1063/1.1494120
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发表时间：
2002-07
影响因子：
4
通讯作者：
Peng Zhang;T. Sham
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Peng Zhang;T. Sham
利用 Au L3,2 边 X 射线吸收近边结构 (XANES) 研究了覆盖有树枝状聚合物和硫醇分子的~2 nm 金纳米粒子 (NP) 的电子行为。结果揭示了 Au NP 中 d 电子分布通过选择性封端的可调性。也就是说，当纳米粒子中的金原子被弱相互作用的树枝状聚合物封端时，它们会获得 5d 电子（相对于本体），而当被强相互作用的硫醇分子封端时，则会失去 5d 电子。提出了 d 电荷（空穴）分布的半定量分析。这项工作证明了覆盖分子在 Au NP 的 d 电荷分布中的重要作用以及 XANES 在探测过渡金属 NP 的电子行为中的有用性。
The electronic behavior of gold nanoparticles (NPs) of ∼2 nm capped with dendrimer and thiol molecules was studied with Au L3,2-edge x-ray absorption near-edge structure (XANES). The results reveal the tunability of the d-electron distribution in the Au NPs by selective capping. That is, that the Au atoms in the NPs gain 5d electrons (relative to the bulk) when capped with weakly interacting dendrimers and lose 5d electrons when capped with strongly interacting thiol molecules. A semiquantitative analysis of the d-charge (holes) distribution is presented. This work demonstrates the important role of the capping molecules in the d-charge distribution of Au NPs and the usefulness of XANES in probing the electronic behavior of transition metal NPs.