Optical gain in silicon nanocrystals
Optical gain in silicon nanocrystals
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DOI：
10.1016/s0925-3467(01)00018-0
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发表时间：
2001-06-01
影响因子：
3.9
通讯作者：
Priolo, F
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dal Negro, L;Pavesi, L;Priolo, F
报道了离子注入硅纳米晶中的受激发射和单程光放大的测量结果。我们认为布居反转涉及到Si=O界面态。(C)2001爱思唯尔科学B，V。保留所有权利。
We report measurements of stimulated emission and single pass light amplification in Si nanocrystals obtained by ion implantation. We argue that population inversion involves Si=O interface states. (C) 2001 Elsevier Science B,V. All rights reserved.