Masahiro Yoshimoto: "MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices"Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors,2000,Nagoya (IPAP Conf.Series). 1. 186-189 (2001)
Masahiro Yoshimoto: "MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices"Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors,2000,Nagoya (IPAP Conf.Series). 1. 186-189 (2001)
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Masahiro Yoshimoto：“Si 上 InN 的 MBE 生长，以实现 Si 器件中的空穴势垒结构”，国际氮化物半导体研讨会论文集，2000 年，名古屋（IPAP Conf.Series）。
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