First-principles study of electron scattering mechanism at SiC/SiO2 interface
First-principles study of electron scattering mechanism at SiC/SiO2 interface
复制标题
SiC/SiO2界面电子散射机理的第一性原理研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tomoya Ono
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shigeru Iwase;Christopher James Kirkham;Tomoya Ono
