Microfluid Ejection Device Based on Complementary Metal- Oxide-Semiconductor Technology as an Artificial Synapse
Microfluid Ejection Device Based on Complementary Metal- Oxide-Semiconductor Technology as an Artificial Synapse
复制标题
基于互补金属氧化物半导体技术的人工突触微流体喷射装置
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Ohta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Minakawa;T.Noda;K.Sasagawa;T.Tokuda;J.Ohta
影响因子：
9.8
作者：
D. O’Keefe;C. O'Herlihy;Y. Gross;J. G. Kelly
通讯作者：
D. O’Keefe;C. O'Herlihy;Y. Gross;J. G. Kelly