A new structure of field emitter arrays

A new structure of field emitter arrays
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一种新型场发射体阵列结构

DOI：
10.1109/ivmc.1995.487000
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发表时间：
1995
期刊：
IVMC '95. Eighth International Vacuum Microelectronics Conference. Technical Digest (Cat. No.TH8012)
影响因子：
--
通讯作者：
Teruo Watanabe
Teruo Watanabe
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Shigeo Itoh;T. Niiyama;M. Taniguchi;Teruo Watanabe

文献摘要

被引文献

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讨论了 Spindt 型场发射器在场发射器阵列中的应用。提出了对一种新结构的评估，该结构是为了在高栅极电压下获得高电流密度而不会造成破坏。使用电阻层和网状结构的阴极电极来稳定发射器阵列。
Applications of Spindt-type field emitters to field emitter arrays are discussed. The evaluation of a new structure which was fabricated to obtain high current density at high gate voltage without destruction is presented. The emitter arrays are stabilized using a resistive layer and a cathode electrode of mesh structure.