Dual switching operation of vertical gate-all-around transistor using InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si
Dual switching operation of vertical gate-all-around transistor using InGaAs/GaSb core-shell nanowires on Si
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使用 Si 上 InGaAs/GaSb 核壳纳米线的垂直环栅晶体管的双开关操作
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Katsuhiro Tomioka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hironori Gamo;Junichi Motohisa;Katsuhiro Tomioka
