GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As–P exchange
GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As–P exchange
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通过超薄外延 GaP 层和表面 As-P 交换进行 GaAs 表面钝化
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Lipsanen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Aierken;J. Riikonen;M. Mattila;T. Hakkarainen;M. Sopanen;H. Lipsanen
