High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface
High-quality gate-stack formation on Ge and defect termination at the interface
复制标题
在 Ge 上形成高质量栅堆叠并在界面处终止缺陷
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Nakashima;K. Hirayama;K. Yamamoto;H. Yang;D. Wang
