Selective Epitaxial Growth of Silicon Carbide on Patterned Silicon Substrates Using Hexachlorodisilane and Propane
Selective Epitaxial Growth of Silicon Carbide on Patterned Silicon Substrates Using Hexachlorodisilane and Propane
复制标题
使用六氯乙硅烷和丙烷在图案化硅衬底上选择性外延生长碳化硅
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.249
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Nishino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Jacob;M. Hong;Juyong Chung;P. Pirouz;S. Nishino
