半導体の線幅標準に関する研究(第9報)-STEM画像を用いたレジスト形状の測定-
半導体の線幅標準に関する研究(第9報)-STEM画像を用いたレジスト形状の測定-
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半导体线宽标准研究（第9次报告）-使用STEM图像的抗蚀剂形状的测量-
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
沖藤春樹,高橋哲,高増潔
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Ooka;Y. Hara;K. Yamamura;沖藤春樹,高橋哲,高増潔
