M. Yoshita: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy"J. Phys. Conf. Ser. No.162/Compound Semiconductors. 162. 143-148 (1999)
M. Yoshita: "Carrier transfer in facet-growth GaAs quantum wells studied by solid immersion photoluminescence microscopy"J. Phys. Conf. Ser. No.162/Compound Semiconductors. 162. 143-148 (1999)
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M. Yoshita：“通过固体浸没光致发光显微镜研究面生长 GaAs 量子阱中的载流子转移”J。
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