A 0.85 THz Low Noise Amplifier Using InP HEMT Transistors
A 0.85 THz Low Noise Amplifier Using InP HEMT Transistors
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DOI：
10.1109/lmwc.2015.2421336
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发表时间：
2015-06-01
影响因子：
3
通讯作者：
Deal, William R.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Leong, Kevin M. K. H.;Mei, Xiaobing;Deal, William R.
在这封信中，第一个封装的太赫兹固态放大器工作在0.85太赫兹的报告。在10级共面波导集成电路中使用高f（MAX）InP HEMT晶体管，在0.85 THz处实现了低至11.1 dB的噪声系数和13.6 dB的相关增益。测量的输出功率高达0.93 mW。
In this letter, the first packaged THz solid-state amplifier operating at 0.85 THz is reported. The InP HEMT amplifier achieves a noise figure as low as 11.1 dB with an associated gain of 13.6 dB at 0.85 THz using high f(MAX) InP HEMT transistors in a 10-stage coplanar waveguide integrated circuit. Output power up to 0.93 mW is measured.