H.Ohta, S.Hamaguchi, M.Wakatani: "Molecular dynamics simulation of Si and SiO_2 etching by CF_3 by using a newly developed potential model"Proceedings of ESCAMPIG16-ICRP5 (ESCAMPIG16-ICRP5 committee, Grenoble, 2002). 153-154 (2002)
H.Ohta, S.Hamaguchi, M.Wakatani: "Molecular dynamics simulation of Si and SiO_2 etching by CF_3 by using a newly developed potential model"Proceedings of ESCAMPIG16-ICRP5 (ESCAMPIG16-ICRP5 committee, Grenoble, 2002). 153-154 (2002)
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H.Ohta、S.Hamaguchi、M.Wakatani：“使用新开发的势模型对 CF_3 进行 Si 和 SiO_2 蚀刻的分子动力学模拟”ESCAMPIG16-ICRP5 会议记录（ESCAMPIG16-ICRP5 委员会，格勒诺布尔，2002 年）。
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