First-principles study on electronic structures and dielectric properties of Si/SiO_2 interface, Journal of Physics
First-principles study on electronic structures and dielectric properties of Si/SiO_2 interface, Journal of Physics
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Si/SiO_2界面电子结构和介电性能的第一性原理研究，物理杂志
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Kikuji Hirose
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomoya Ono;Katsuhiro Kutsuki;Yoshiyuki Egami;Heiji Watanabe;and Kikuji Hirose
