Heterogrowth of GaN films on ZnO substrates using AlN interlayers by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Heterogrowth of GaN films on ZnO substrates using AlN interlayers by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
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利用 AlN 中间层通过等离子体辅助分子束外延在 ZnO 衬底上异质生长 GaN 薄膜
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
任寅 鎬;他
