遠藤哲郎: "完全空乏型Double-Gate SOI MOSFETの短チャネル効果の解析及びスケーリング理論の提案" 電気情報通信学会論文誌C-II. J82-C-II・No.2. 72-73 (1999)
遠藤哲郎: "完全空乏型Double-Gate SOI MOSFETの短チャネル効果の解析及びスケーリング理論の提案" 電気情報通信学会論文誌C-II. J82-C-II・No.2. 72-73 (1999)
复制标题
Tetsuro Endo：“全耗尽双栅极 SOI MOSFET 的短沟道效应分析和缩放理论的建议”IEICE Transactions J82-C-II·No.2 (1999)。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
